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更新时间:2026-07-17
点击次数: 記者何亞軒/綜合報導
知情人士爆料,美光科技(Micron Technology)為了因應地緣政治風險升高疑慮,將投資1.5兆日圓(約新台幣3017億元)於日本廣島建設先進高頻寬記憶體(HBM)晶片新廠。
美光將投資1.5兆日圓(約新台幣3017億元)於日本廣島建設先進高頻寬記憶體(HBM)晶片新廠。 (示意圖/Unsplash)
根據路透社引用《日經》新聞報導,美光將投資1.5兆日圓於日本廣島建廠,該廠將用以產出先進高頻寬記憶體(HBM)晶片,並預期於明(2026)年5月正式動工、2028年前後開始出貨。日本經濟產業省也將為該計畫提供最高5000億日圓補助。不過路透社指出,目前路透社無法立即查證此報導真偽。
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美光在台灣、美國都有主要生產地,不過HBM生產重心一直擺在台灣,在在美中局勢逐漸緊張的情況下,中國與台灣地緣政治風險上升,美光此投資也被解讀出了避險意味,此舉將有助於美光本身減少對台灣生產基地的依賴,並提高它在半導體市場上與領導企業SK海力士競爭的能力。
受惠於AI帶動記憶體需求暴增,美光今年以來股價已狂漲181%。